中国长鑫存储将启动HBM3E量产,良率仅20%-30%仍决定押注
10月28日,路透社独家报道,中国最大DRAM芯片制造商长鑫存储(CXMT)计划在未来两个月内启动HBM3E高带宽存储芯片的限量生产。
尽管目前良率仅约20%至30%,远低于市场领导者SK海力士约70%的水平。此举反映中国AI芯片产业面临严峻的存储芯片短缺困境。
据悉,长鑫的HBM3E性能实测更接近SK海力士上一代HBM3,较现行HBM3E仍落后一代,且成本高于海外竞品。华为、寒武纪等国内AI芯片商已因存储成本上涨而将产品价格提高两至五成。美国自2024年12月起收紧对华HBM出口管制,中国芯片商被迫转向非正式渠道采购,价格往往高出数倍。
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长鑫存储上市首日股价暴涨,市值跃居中国第一
7月27日,中国最大存储芯片制造商长鑫存储(CXMT)在上海证券交易所挂牌上市,此次IPO融资579亿元,为逾15年来中国规模最大IPO。
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